半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带和半导体晶片的磨削加工方法

摘要

一种半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带和使用了该胶带的半导体晶片的磨削加工方法，该胶带为设置基材并在该基材的一个面侧设置粘合剂层而成的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，该基材的未形成粘合剂层的面的表面粗糙度为Rz＝0.7μm～5.0μm，该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带在波长500nm～600nm的全光线透过率为40％～80％，镜面晶片的色差(ΔEM)与将该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带贴合于该镜面晶片的状态下的色差(ΔET)之差为ΔET－ΔEM＞6.5，该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带被贴合于具有缺口的半导体晶片的表面。