公开/公告号CN108428740B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-04
原文格式PDF
申请/专利权人 株洲中车时代电气股份有限公司;
申请/专利号CN201810148858.0
申请日2018-02-13
分类号H01L29/739(20060101);H01L29/423(20060101);
代理机构11372 北京聿宏知识产权代理有限公司;
代理人吴大建;陈伟
地址 412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号
入库时间 2022-08-23 11:11:54
机译: 半导体芯片,其包括具有交叉耦合的晶体管配置的区域,该区域具有在形成导电结构的栅电极上的偏置电连接区域以及形成导电结构的栅电极的至少两个不同的内部延伸距离
机译: 半导体芯片的栅极水平栅上具有矩形形状的栅电极特征,而第一金属垂直网格上具有至少八个第一金属网格线的矩形第一金属结构
机译: 具有扩散的横向溢流抗起霜排水结构的分栅虚相CCD图像传感器及其制造工艺