改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构

摘要

一种改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构，包括：一蓝宝石衬底或碳化硅衬底或硅衬底；一高阻氮化镓缓冲层，该高阻氮化镓缓冲层制作在衬底上；一薄层非故意掺杂铝镓氮插入层，该非故意掺杂铝镓氮插入层制作在高阻氮化镓缓冲层上；一高迁移率氮化镓沟道层，该高迁移率氮化镓沟道层制作在非故意掺杂铝镓氮插入层上；一非故意掺杂铝镓氮空间隔离层，该非故意掺杂铝镓氮空间隔离层制作在高迁移率氮化镓沟道层上；一n型掺杂铝镓氮载流子供给层，该n型掺杂铝镓氮载流子供给层制作在非故意掺杂铝镓氮空间隔离层上；一非故意掺杂铝镓氮盖帽层，该非故意掺杂铝镓氮盖帽层制作在n型掺杂铝镓氮载流子供给层上。