一种适用于铝镓氮化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管的肖特基接触系统

摘要

本发明公开了一种适用于铝镓氮化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管的肖特基接触系统，AlGaN/GaN HEMT的栅电极采用双层Ni/Mo/Ti/Pt/Y/Ti结构的肖特基接触系统，且第二层Ni/Mo/X/Y/Ti宽度大于第一层Ni/Mo/X/Y/Ti宽度；肖特基接触系统采用蒸发的方法在AlGaN势垒层的表面依次淀积Ni、Mo、X、Y、Ti、Ni、Mo、X、Y、Ti形成栅电极，其中，X金属层为Ti或Ti/Pt或Ti/Pt/Ti/Pt或Ti/Mo/Ti/Mo；Y金属层为Au或Al或Cu或Au/Pt/Au或Al/Pt/Al或Cu/Pt/Cu。本发明制得肖特基接触系统与传统的肖特基接触系统相比，具有更小的热胀系数及更低热导率，在器件工作时使得其中的金属层具有比外延层更低的温度，从而规避其热胀因素对器件性能与可靠性的影响，同时还降低了栅阻，提升器件的频率特性。