一种无硒化过程非真空法制备的铜铟镓硒吸收层

摘要

本发明涉及一种无硒化过程非真空法制备的铜铟镓硒吸收层，其特征在于，所述工艺步骤包括：制备铜铟镓硒胶体、铜铟镓硒前驱体薄膜的制备、退火热处理三个步骤。选用氯化铜、硫酸铟、氯化镓、二氧化硒作为Cu源、In源、Ga源、Se源，按照（Cu:In:Ga:Se=1:1.4:0.6:4）的摩尔比配置，选用乙醇作为溶剂同时加入三乙醇胺作为络合剂与粘结剂，在一定温度下搅拌溶解至白色粘稠状液体，取出后挥发陈化，适量的溶解在乙醇中再刮涂或滴涂在衬底上，经一定温度热处理后得到铜铟镓硒吸收层。本发明的铜铟镓硒吸收层，生产工艺简单，环保，无需任何再投料硒化工艺，即可得到平整，结构完善，禁带宽度为1.39 eV的铜铟镓硒薄膜。