机译:通过硒化与硒预混合的金属前体的硒化,在硒化铜铟镓硒(CuInGaSe2)光吸收合金的形成中使用硒化二乙酯作为危害较小的来源
Tokyo Univ Sci, Dept Elect Engn, Noda, Chiba 2788510, Japan;
Univ Free State, Dept Phys, Phuthaditjhaba, South Africa;
Univ Johannesburg, Dept Phys, ZA-2006 Johannesburg, South Africa;
Univ Tsukuba, Inst Appl Phys, Grad Sch Pure & Appl Sci, Tsukuba, Ibaraki 3058573, Japan;
Univ Tsukuba, 21 Century COE Off, Grad Sch Pure & Appl Sci, Tsukuba, Ibaraki 3058573, Japan;
growth models; physical vapor deposition processes; semiconducting ternary compounds; CUINSE2 THIN-FILMS; SOLAR-CELLS; GRAPHITE BOX; DEPOSITION; VAPOR;
机译:使用硒化二乙基硒作为硒化金属前驱体制备CuInSe_2光吸收剂的危害较小的来源
机译:使用硒化二乙基硒作为金属前驱物的硒化制备高Ga含量的CuInGaSe_2薄膜
机译:以硒化二硒为硒源的硒化法生长单相CuInGaSe_2光吸收合金膜
机译:硒化二乙基硒作为金属前体的硒化制备CuIn1-xGaxSe2薄膜
机译:混合金属/金属硒化物前体的硒化形成硒化铜(铟,镓)。
机译:Se + SnSe蒸气中硒化过程中CuSnZn金属前体中Sn含量对MoSe2膜形成的影响
机译:起始前体如何影响溅射和硒化制备的多晶CuInGase2薄膜的性质
机译:低挥发性金属和低熔点金属之间的合金形成挥发性金属卤化物和这些合金结构的消除