制造衬底材料的方法以及半导体衬底材料

摘要

公开了一种用来制造面缺陷密度降低了的基本上弛豫的SiGe合金层的方法。本发明的方法包括：在含硅衬底的表面上形成应变的含锗层；在含锗层/含硅衬底界面处或此界面下方注入离子；以及进行加热，以便形成面缺陷密度降低了的基本上弛豫的SiGe合金层。还提供了具有面缺陷密度降低了的SiGe层的基本上弛豫的绝缘体上SiGe衬底材料以及包含此衬底材料的异质结构。