衬底材料对Sc膜形貌、结构的影响

摘要

钪Sc氢化物具有极低的离解平衡压，在高温储氢方面具有极为明显的优势。为了更好地指导后期吸氘实验的进行，有必要详细地研究镀膜过程及工艺参数对Sc膜的影响。在众多的镀膜方法中，电子束沉积法因对衬底无损伤、沉积速率快且成本低而备受青睐。本文采用电子束沉积方法在沉积速率为50±2.5(A)/s时，在粗糙Mo、光滑Mo(RMS=0.836nm)及单晶Si(111)，Si(110)上沉积了Sc膜，并采用XRD、SEM对其进行了分析。各条件下Sc膜的平均厚度为2μm。