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碳化硅半导体装置的制造方法、半导体基体的制造方法、碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造装置

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摘要

碳化硅半导体装置(100)的制造方法，包括：在碳化硅晶片(10)的表面侧形成表面电极(30)的工序；从背面侧将碳化硅晶片(10)变薄，从而将碳化硅晶片(10)薄板化的工序；在薄板化后的碳化硅晶片(10)的背面设置金属层(21)的工序；在施加外力使碳化硅晶片(10)以及金属层(21)平坦化的状态下，对金属层(21)进行激光照射从而在金属层(21)的背面侧形成与碳化硅晶片(10)中的碳反应后的碳化物层(20)的工序；以及在碳化物层(20)的背面侧形成背面电极(40)的工序。

著录项

公开/公告号CN107533961B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-21

原文格式PDF
申请/专利权人新电元工业株式会社;
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申请/专利号CN201580007858.3
发明设计人福田祐介;渡部善之;
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申请日2015-12-11
分类号H01L21/28(20060101);
代理机构31204 上海德昭知识产权代理有限公司;
代理人郁旦蓉
地址日本国东京都千代田区大手町二丁目2番1号
入库时间 2022-08-23 11:10:05

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-08-21

授权

授权
2018-01-26

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/28 申请日:20151211

实质审查的生效
2018-01-02

公开

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