氢化P沟道金属氧化物半导体薄膜晶体管

摘要

本发明提供显示良好薄膜晶体管TFT特性的p型金属氧化物半导体材料。还提供包含包括p型氧化物半导体的沟道的TFT，以及制造方法。可使p型金属氧化物膜氢化，使得其具有至少10¹⁸原子/cm³的氢含量，且在一些实施方案中，至少10²⁰原子/cm³或更高的氢含量。氢化的p型金属氧化物膜的实例包含氢化的基于锡(II)的膜以及氢化的基于铜(I)的膜。所述TFT的特征可在于具有一或多个TFT特性，例如高迁移率、低亚阈值摆幅(s值)以及高开/关电流比率。