机译:具有非常薄的ECR N / sub 2 / O-等离子栅氧化物的短沟道氢化N沟道多晶硅薄膜晶体管的稳定性得到改善
机译:具有ECR N / sub 2 / O-等离子栅氧化物的短沟道P沟道多晶硅薄膜晶体管的稳定性
机译:具有ECR等离子体热栅氧化物的N沟道多晶硅薄膜晶体管的稳定性
机译:高栅极和漏极偏置应力下短沟道p型多晶硅薄膜晶体管的可靠性
机译:具有非常薄的ECR N / sub 2 / O-等离子栅氧化物的多晶硅薄膜晶体管的短沟道效应得到抑制,并提高了稳定性
机译:高性能氢化非晶硅薄膜晶体管结构
机译:使用H2烧结改善低温多晶硅薄膜晶体管传感器的pH敏感性
机译:高性能短通道双栅极低温多晶硅薄膜晶体管使用准分子激光结晶
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)