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基于β-Ga2O3/FTO异质结的日盲紫外光电探测器及其制备

摘要

本发明提供一种基于β‑Ga2O3/FTO异质结的日盲紫外光电探测器,包括β‑Ga2O3薄膜、FTO导电玻璃和电极,β‑Ga2O3薄膜置于FTO导电玻璃上构成异质结,在β‑Ga2O3薄膜和FTO导电玻璃上各设置有一个电极。本发明还提出基于β‑Ga2O3/FTO异质结的日盲紫外光电探测器的制备方法及其应用。本发明提出基于β‑Ga2O3/FTO异质结的日盲紫外光电探测器,可以在有效探测UVC信号和有效过滤部分UVB和UVA光的同时,还可以有效的穿透可见光的特点。该发明为β‑Ga2O3/FTO异质结日盲紫外光电探测器的应用提供理论和技术支持。

著录项

  • 公开/公告号CN109755341B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京镓族科技有限公司;

    申请/专利号CN201811488200.0

  • 发明设计人 王霞;李培刚;唐为华;

    申请日2018-12-06

  • 分类号H01L31/109(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构11002 北京路浩知识产权代理有限公司;

  • 代理人王文君;陈征

  • 地址 101300 北京市顺义区仁和镇顺强路1号1幢2号

  • 入库时间 2022-08-23 11:09:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-14

    授权

    授权

  • 2019-06-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/109 申请日:20181206

    实质审查的生效

  • 2019-05-14

    公开

    公开

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