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一种用于空气隙同轴硅通孔的宽频带建模方法

摘要

本发明涉及一种用于空气隙同轴硅通孔的宽频带建模方法,包括如下步骤:获取空气隙同轴硅通孔的基础参数;根据所述基础参数计算等效导纳和等效阻抗;根据所述等效导纳和所述等效阻抗建立等效电路模型;对所述等效电路模型进行验证。本发明实施例在建立等效电路模型的过程中,综合考虑了衬底涡流损耗、电流趋肤效应、MIS寄生电容效应,所建立的模型可以在100MHz‑100GHz频率范围内精确分析TSV信号传输特性并进行优化,可以实际反应出CTSV的传输特性。

著录项

  • 公开/公告号CN109657305B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安电子科技大学;

    申请/专利号CN201811475968.4

  • 申请日2018-12-04

  • 分类号

  • 代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张捷

  • 地址 710071 陕西省西安市太白南路2号

  • 入库时间 2022-08-23 11:08:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-07

    授权

    授权

  • 2019-05-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20181204

    实质审查的生效

  • 2019-04-19

    公开

    公开

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