...
机译:超频带信号通过用于MM-WAVE IC封装的准同轴直通硅通孔(TSV)的信号转换
Korea Elect Technol Inst Dept ICT Device Seongnam Si 463816 South Korea|Korea Elect Technol Inst Packaging Res Ctr Seongnam Si 463816 South Korea;
LIG Nex1 Corp Yongin Kyeoggi Do South Korea;
LIG Nex1 Corp Yongin Kyeoggi Do South Korea;
Agcy Def Dev Daejeon South Korea;
Korea Elect Technol Inst Dept ICT Device Seongnam Si 463816 South Korea|Korea Elect Technol Inst Packaging Res Ctr Seongnam Si 463816 South Korea;
Millimeter-wave (mm-wave) integrated circuit (IC) packaging; Quasi-coaxial through-silicon-via (TSV); Si-interposer; TSV; W-band integration;
机译:适用于多芯片模块和系统级封装应用的高性能和高数据速率准同轴LTCC垂直互连过渡
机译:使用阳极氧化铝基板的3D封装的准同轴垂直通孔过渡
机译:一种新型的中介层的制造和电学特性,该中介层具有用于2.5D / 3D应用的具有超低电阻率的直通硅通孔(TSV)的聚合物衬里和硅柱
机译:BICMOS通过 - 硅通孔(TSV)信号过渡在240/300 GHz,用于MM-WAVE和SUB-THZ包装和异构整合
机译:包含硅通孔(TSV)的三维互连的热机械可靠性。
机译:基于室温固化银纳米线ECA的无种子TSV工艺用于MEMS包装
机译:结合弯曲梁技术和有限元分析确定硅通孔(TsVs)的温度依赖性热应力