超小单元尺寸纵向超结半导体器件的制造方法

摘要

本发明涉及一种超小单元尺寸纵向超结半导体器件的制造方法，该方法采用利用硬掩模层在第一导电类型半导体基板上进行深沟槽刻蚀；淀积一层第二导电类型外延层；再进行各向异性刻蚀，去除深沟槽底部外延层；进行第一导电类型杂质注入；淀积第一导电类型外延层填充深沟槽；对半导体基板第一主表面进行平坦化，并去除硬掩模层，深沟槽侧壁的第二导电类型外延层构成纵向超结结构的第二导电类型柱，第一导电类型基板和第一导电类型外延层分别构成第一导电类型第一柱和第一导电类型第二柱。本方法制造的超结结构，可以在不增加工艺难度的情况下，大幅度缩小超结结构的单元尺寸，同时打破现有工艺能力对第二导电类型柱宽度的限制。