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公开/公告号CN106644195B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-24
原文格式PDF
申请/专利权人 北京航空航天大学;中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所;
申请/专利号CN201610875795.X
发明设计人 郭占社;卢超;黄漫国;李欣;
申请日2016-09-30
分类号G01L1/22(20060101);
代理机构11251 北京科迪生专利代理有限责任公司;
代理人杨学明;顾炜
地址 100191 北京市海淀区学院路37号
入库时间 2022-08-23 11:06:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-24
授权
2017-06-06
实质审查的生效 IPC(主分类):G01L1/22 申请日:20160930
实质审查的生效
2017-05-10
公开
机译: 基于“多晶硅绝缘子”结构的高温半导体压力传感器
机译: 高温且带有分层叠层硅结构,尤其适用于压力传感器
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机译:硅-蓝宝石界面的重结晶是一种在蓝宝石衬底上获得结构完美的硅膜的新方法
机译:带有“蓝宝石上的硅”结构的压力传感器敏感元件的钎焊
机译:通过扩散增强融合(DEF)粘接,高温,绝缘硅压力传感器的绝缘硅压力传感器,粘合剂
机译:与硅和蓝宝石衬底集成的基于VO2和二氧化钛的外延异质结构的结构和性能。
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机译:基于蓝宝石的微机械压力传感器,用于高温应用
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