公开/公告号CN100375257C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-03-12
原文格式PDF
申请/专利权人 上海宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN03128825.1
申请日2003-05-23
分类号H01L21/66(20060101);
代理机构31219 上海光华专利事务所;
代理人余明伟
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号
入库时间 2022-08-23 09:00:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-08-04
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/66 授权公告日:20080312 申请日:20030523
专利权的终止
2008-03-12
授权
授权
2006-06-07
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-11-24
公开
公开
机译: 减小泄漏电流的半导体器件和方法,该泄漏电流是由于接触结构的失调而引起的,该泄漏电流是通过增加接触结构化过程的容错性而引起的
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