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机译:具有金属铁电绝缘体-半导体结构的长沟道全栅负电容晶体管的分析漏电流模型
Tsinghua Univ, Inst Microelect, Tsinghua Natl Lab Informat Sci & Technol, Beijing 100084, Peoples R China;
Tsinghua Univ, Inst Microelect, Tsinghua Natl Lab Informat Sci & Technol, Beijing 100084, Peoples R China;
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Tsinghua Univ, Inst Microelect, Tsinghua Natl Lab Informat Sci & Technol, Beijing 100084, Peoples R China;
机译:用于长通道连接纳米线晶体管的漏极电流,终端电荷和固有电容的明确连续模型
机译:长通道无结双栅晶体管的电势,阈值电压和漏极电流的分析模型
机译:勘误:负电容场效应晶体管中的表面电势和漏极电流的解析模型
机译:基于Landau理论的长沟道双栅负电容无结晶体管的分析漏电流模型
机译:MOS晶体管的深亚微米漏极电流和电荷模型。
机译:金属-铁电-绝缘体-半导体/金属叠层中的多域负电容效应:基于相场模拟的研究
机译:负表面电位和漏电流的解析模型 电容场效应晶体管