Erratum: Analytic Model for the Surface Potential and Drain Current in Negative Capacitance Field-Effect Transistors

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• 来源
  《Electron Devices, IEEE Transactions on》 |2011年第8期|p.2818|共1页
• 作者

  Jimenez D.; Miranda E.; Godoy A.;

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• 作者单位

  Departament d''Enginyeria Electrònica, Escola d''Enginyeria, Universitat Autònoma de Barcelona, Barcelona, Spain;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

  Field-effect transistors (FETs); low-power switching; metal–ferroelectric–semiconductor devices; negative capacitance devices; nonvolatile memory devices; steeper subthreshold transistors;

  机译：场效应晶体管（FET）;低功耗开关;金属-铁电-半导体器件;负电容器件;非易失性存储器件;更陡峭的亚阈值晶体管;