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摘 要
ABSTRACT
第1章 绪 论
1.1 铁电体及铁电薄膜材料
1.1.1 铁电体
1.1.2 铁电薄膜材料
1.2 铁电场效应晶体管
1.2.1 铁电场效应晶体管的基本结构
1.2.2 铁电场效应晶体管的原理
1.2.3 铁电场效应晶体管存在的问题
1.3 铁电场效应晶体管的应用
1.3.1 基于FeFET的FeCMOS
1.3.2 非易失性存储器
1.4 本论文的研究意义和主要内容
1.4.1 本论文的研究意义
1.4.2 本论文的主要内容
第2章 温度对负电容SBT铁电场效应晶体管电学性能的影响
2.1 引言
2.2 铁电薄膜负电容
2.2.1 负电容的定义
2.2.2 检验负电容存在的方法
2.3 SBT-MFS-NC-FET物理模型的建立
2.3.1 SBT-MFS-NC-FET物理模型
2.3.2 模型参数的确定
2.4 温度对SBT-MFS-NC-FET电学性能的影响
2.4.1 温度对硅表面势的影响
2.4.2 温度对栅电容的影响
2.4.3 温度对转移特性的影响
2.5 本章小结
第3章 掺杂浓度对负电容SBT铁电场效应晶体管电学性能的影响
3.1 引言
3.2 SBT-MFS-NC-FET物理模型建立
3.2.1 SBT-MFS-NC-FET物理模型
3.2.2 模型参数的确定
对SBT器件电学性能的影响，计算过程中用到一些具体的参数列在表3.1中。
3.3 掺杂浓度对SBT-MFS-NC-FET电学性能的影响
3.3.1 掺杂浓度对硅表面势的影响
3.3.2 掺杂浓度对栅电容的影响
3.3.3 掺杂浓度对转移特性的影响
3.4 本章小结
第4章 铁电层厚度对负电容SBT铁电场效应晶体管电学性能的影响
4.1 引言
4.2 SBT -MFS-NC-FET物理模型的建立
4.2.1 SBT-MFS-NC-FET物理模型
4.2.2 模型参数的确定
4.3 铁电层厚度对SBT-MFS-NC-FET电学性能的影响
4.3.1 铁电层厚度对硅表面势的影响
4.3.2 铁电层厚度对栅电容的影响
4.3.3 铁电层厚度对转移特性的影响
4.4 本章小结
第5章 界面层效应对负电容SBT场效应晶体管的电学性能的影响
5.1 引言
5.2 铁电-金属电极界面层模型
5.3 铁电-金属电极界面层SBT-MFS-NC-FET物理模型
5.3.1 模型的建立
5.3.2 模型参数的确定
5.4 界面效应对SBT-MFS-NC-FET电学性能的影响
5.4.1 界面效应对硅表面势的影响
5.4.2 界面效应对栅电容的影响
5.4.3 界面效应对转移特性的影响
5.5 本章小结
第6章 总结与展望
6.1 论文总结
6.2 工作展望
参考文献
致 谢
个人简历、攻读硕士学位期间论文发表情况
