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半导体镀膜设备的喷淋装置、化学气相沉积设备及其操作方法

摘要

本发明提供了一种半导体镀膜设备的喷淋装置,包括顶板、第一进气部、第二进气部、第一气体分配单元、第二气体分配单元、间隔孔板、第一排气管路、第二排气管路和喷淋头。本发明在所述第一气体分配单元和所述第二气体分配单元内设置第一扩散孔板和第二扩散孔板,使第一反应气体和第二反应气体在进入所述喷淋头之前能够通过所述第一扩散孔板和所述第二扩散孔板进行充分扩散,结合设置相互独立的所述第一排气管路和所述第二排气管路,将留在所述喷淋装置中的反应气体或反应副产物以向上排出的方式经不同排气管路排出,在提高排气效率的同时提高了薄膜的沉积质量。本发明还提供了所述喷淋装置在化学气相沉积中的应用。

著录项

  • 公开/公告号CN108677167B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 沈阳拓荆科技有限公司;

    申请/专利号CN201810678394.4

  • 发明设计人 荒见淳一;周仁;苏欣;

    申请日2018-06-27

  • 分类号

  • 代理机构沈阳维特专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人李丹

  • 地址 110179 辽宁省沈阳市浑南区水家900号

  • 入库时间 2022-08-23 11:04:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-03

    授权

    授权

  • 2018-11-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/455 申请日:20180627

    实质审查的生效

  • 2018-10-19

    公开

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