绝缘体上硅的横向N型绝缘栅双极晶体管

摘要

本发明公开了一种绝缘体上硅的横向N型绝缘栅双极晶体管，包括：P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有N型漂移区，在N型漂移区中设有较高浓度的N型掺杂半导体区，这个较高浓度的N型掺杂半导体区位于场氧化层右端第二鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区域，其浓度高于N型漂移区的浓度，同时，该器件的阳极接触区域在器件的宽度方向上是由P型掺杂区域和N型掺杂区域交替排列形成的。并且，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于两层台阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板，其能够有效的提高器件的横向耐压水平。