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用于在旋转干燥操作期间监测半导体晶片的方法和设备

摘要

用于在旋转干燥操作期间监测半导体晶片的方法和设备。在一种用于在旋转处理操作期间监测半导体晶片的方法中,当晶片被旋转时测量在电容传感器(124)和晶片(116)之间的电容值。当确定测量的电容值达到希望的(如基本恒定)水平时,产生一个指示半导体表面处于希望状态(如干燥)的信号(130)。在另一方法中,当晶片被旋转时将光指向晶片的表面,使得从晶片表面反射的光基本垂直于晶片的表面。测量从晶片表面反射的光强。当测量的从晶片表面反射的光强达到对应于当表面处于希望状态时测量的从晶片表面反射的光强的强度水平时,产生一个指示晶片表面处于希望状态的信号。在用于旋转干燥半导体晶片的方法中,响应于该信号停止晶片的旋转。还描述了一种用于旋转干燥半导体晶片的包括电容传感器或干涉传感器的设备。

著录项

  • 公开/公告号CN100380619C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-04-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 拉姆研究公司;

    申请/专利号CN01821517.3

  • 发明设计人 伦道夫·E·特勒;

    申请日2001-12-21

  • 分类号

  • 代理机构北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人李辉

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-02-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/66 授权公告日:20080409 终止日期:20141221 申请日:20011221

    专利权的终止

  • 2008-04-09

    授权

    授权

  • 2006-08-02

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-06-07

    公开

    公开

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