用于在多个切片操作期间通过线锯从工件上切下多个晶片的方法和单晶硅半导体晶片

摘要

本发明的主题是一种用于在多个切片操作期间通过线锯从工件上切下多个晶片的方法，所述线锯包括锯线的移动线段的线网，锯线在两个导线辊之间拉伸，每个导线辊安装在固定轴承和可移动轴承之间。本发明的另一主题是可通过所述方法获得的单晶硅半导体晶片。所述方法包括：在对工件起研磨作用的硬质物质的存在下，在每个切片操作期间，在存在工作流体下，抵靠着线网沿进料方向进料工件之一；在切片操作期间，根据温度曲线对相应导线辊的固定轴承进行温度控制，所述温度曲线基于切割深度指定温度；在切片操作过程中，温度曲线从具有恒温过程的第一温度曲线第一次切换到第二温度曲线，所述第二温度曲线与第一平均形状轮廓和参考晶片的形状轮廓之差异成比例，其中所述第一平均形状轮廓由已根据第一温度曲线切下的晶片确定。