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公开/公告号CN107591450B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-16
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN201710624383.3
发明设计人 段宝兴;曹震;师通通;吕建梅;杨银堂;
申请日2017-07-27
分类号
代理机构西安智邦专利商标代理有限公司;
代理人胡乐
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2022-08-23 11:01:49
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-16
授权
2018-02-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20170727
实质审查的生效
2018-01-16
公开
机译: 硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFET)具有宽带隙III-V复合半导体组排水管和制造方法的方法
机译: 具有用于漂移区的垂直超结边缘终端的宽带隙半导体器件
机译: 横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
机译:具有埋入式改进超结层的低导通电阻高压横向双扩散金属氧化物半导体
机译:具有n型阶梯掺杂缓冲层的新型超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有高k Hfalo栅极介电层的原子层沉积(ALD)的AlGaN / GaN金属氧化物半导体异质结场效应晶体管(MOSHFET)的性能提高
机译:宽带隙金属氧化物半导体的电缺陷与器件性能的相关性
机译:具有增强的隧道电流的宽带隙金属氧化物半导体中的维持空穴反转层
机译:宽带隙高k Y2 O3作为钝化中间层,用于增强具有高k HfTiO栅极电介质的n-Ge金属氧化物半导体电容器的电性能和高场可靠性
机译:宽带隙半导体和多原子分子的超快光学表征