公开/公告号CN107493095B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-16
原文格式PDF
申请/专利权人 东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所;
申请/专利号CN201710674866.4
申请日2017-08-09
分类号H03K17/08(20060101);H03K17/567(20060101);H03K19/003(20060101);
代理机构32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙);
代理人柏尚春
地址 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号
入库时间 2022-08-23 11:01:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-16
授权
授权
2018-01-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H03K17/08 申请日:20170809
实质审查的生效
2017-12-19
公开
公开
机译: 用该方法制造碳化硅基质,肖特基势垒二极管和碳化硅膜及碳化硅基质的制备方法
机译: 碳化硅肖特基二极管包括形成在包含氢-碳化硅的碳化硅外延体的硅面上的肖特基金属势垒(包括钛)。
机译: 碳化硅阻挡层-肖特基二极管,在碳化硅层的区域中具有深度和距离的沟槽,使得在肖特基-过渡-边界表面处的电场强度等于或小于特定值