砷化镓纳米柱阵列太赫兹波发射装置及制造方法

摘要

本发明涉及太赫兹波发射装置，为提高纳米超材料对光电导天线性能的调制能力，实现增大光电流，提高天线的辐射功率和效率，同时减小飞秒激光在半导体中的趋肤深度，使载流子漂移运动方向更好的束缚在半导体表面。为此，本发明采用的技术方案是，砷化镓纳米柱阵列太赫兹波发射装置及制造方法，由纳米结构层、光电导天线和硅透镜构成，纳米结构层由固定间隔周期性排列的柱状单元结构组成，纳米结构层布设在光电导天线衬底层正面的两根平行金属电极中间，所述柱状单元的一端与衬底层相连；硅透镜贴在光电导天线衬底层背面。本发明主要应用于太赫兹波发射装置的设计制造场合。