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一种制备过渡金属硫化物的金属与半导体异质结结构的方法

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摘要

本发明属于材料制备技术领域，特别涉及基于过渡金属硫化物的金属与半导体异质结的制备方法。本发明通过两步CVD的方法制备金属与半导体异质结结构，通过传统方法首先制备WS

1. 一种制备过渡金属硫化物的金属与半导体异质结结构的方法 [P] . 中国专利： CN108389778B . 2020.05.12
2. 一种铜基过渡金属硫化物异质结纳米材料的制备方法 [P] . 中国专利： CN113457693A . 2021-10-01
3. METHOD FOR MANUFACTURING HETEROJUNCTION FIN STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HETEROJUNCTION FIN STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING FIN-HFET BASED ON HETEROJUNCTION FIN STRUCTURE, AND FIN-HFET BASED ON HETEROJUNCTION FIN STRUCTURE [P] . 韩国专利： KR101592513B1 . 2016-02-05

机译：制造异质结鳍片结构的方法，具有异质结鳍片结构的半导体器件，基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
4. A method to produce a transition metal sulfide with lithium content, the use of said transition metal sulfide formed by an electrode obtained by Said Method, and use a lithium-ion Battery comprising Said electrode. [P] . AR073863A1 . 2010-12-09

机译：制备具有锂含量的过渡金属硫化物的方法，使用由通过所述方法获得的电极形成的所述过渡金属硫化物，并使用包括所述电极的锂离子电池。
5. - metal-graphene heterojunction metal interconnects its forming method and semiconductor device including the same [P] . 韩国专利： KR101795783B1 . 2017-12-01

机译： -金属-石墨烯异质结金属互连其形成方法和包括该金属-石墨烯异质结金属的半导体器件