具有电流控制电阻效应的掺杂半导体/绝缘体/半导体材料

摘要

本发明公开了属于电学量传感器材料的用PLD方法制备的一种具有电流控制电阻效应的半导体/绝缘体/半导体结构材料。该材料是在基体半导体硅上，用不同比例的金属-石墨复合冷压靶材，用PLD方法在一定温度下沉积得到的。该材料在无外加电场的情况下存在一个较大的本征偏压，大小约为0.0027伏特，利用该特性可设计新型传感器。金属掺杂半导体/绝缘体/半导体的结构材料，是一种很有前途的电学传感器材料。