采用绝缘体－半导体转换材料层作为沟道材料的场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种包括绝缘体-半导体转换材料层的场效应晶体管。绝缘体-半导体转换材料层可以选择性地提供第一状态和第二状态，第一状态：当不施与栅场时，带电空穴就不注入到绝缘体-半导体转换材料层的表面；第二状态：当施与负性栅场时，大量的带电空穴被注入到绝缘体-半导体转换材料层的表面形成导电沟道。栅绝缘层形成于绝缘体-半导体转换材料层上。栅极形成于栅绝缘层上，给绝缘体-半导体转换材料层施与预定强度的负性栅场。源极和漏极在绝缘体-半导体转换材料层的两侧彼此相对布置，以便当绝缘体-半导体转换材料层处于第二状态时，电荷载流子能通过导电沟道流动。