机译:拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜作为金属氧化物半导体场效应晶体管的替代沟道材料
Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA;
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机译:用前栅极分裂电容-电压法比较绝缘体上超薄金属氧化物半导体场效应晶体管的前,后通道迁移率
机译:辐射引起的反向沟道泄漏和反向栅极偏置对薄栅氧化物部分耗尽绝缘硅上n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏电流瞬态的影响
机译:拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜中与厚度无关的传输通道
机译:激光能量密度对高度取向拓扑绝缘体生长的作用Bi_2se_3薄膜
机译:基于有机薄膜场效应晶体管和与硅固态器件集成在一起的固定离子通道的化学和生物传感体系结构的方法和评估。
机译:Bi2Se2Te拓扑绝缘体薄膜的拓扑离域和表面通道间距的调整
机译:拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜作为金属氧化物半导体场效应晶体管中的替代沟道材料
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)