CMOS器件、PMOS器件及NMOS器件的形成方法

摘要

一种CMOS器件、PMOS器件及NMOS器件的形成方法，CMOS器件的形成方法包括：对PMOS区域的不同区域进行第一阈值电压掺杂处理和第二阈值电压掺杂处理，第一阈值电压掺杂处理浓度小于第二阈值电压掺杂处理浓度；且在PMOS区域不同区域的栅介质层上形成的P型功函数层厚度不同；对NMOS区域的不同区域进行第三阈值电压掺杂处理和第四阈值电压掺杂处理，第三阈值电压掺杂处理浓度大于第四阈值电压掺杂处理浓度；且在NMOS区域不同区域的栅介质层上形成的N型功函数层的厚度不同。本发明形成的器件具有不同阈值电压，且不同器件之间的阈值电压差值较大，满足器件性能的需求。