半导体制造用处理液、收容有半导体制造用处理液的收容容器、图案形成方法及电子器件的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种能够抑制颗粒等缺陷的产生且能够制造微细的抗蚀剂图案或微细的半导体元件的半导体制造用处理液，另外，提供一种收容有该半导体制造用处理液的收容容器。另外，本发明的目的在于提供一种使用上述半导体制造用处理液的图案形成方法及电子器件的制造方法。本发明的实施方式所涉及的收容容器为具备收容有半导体制造用处理液的收容部的收容容器。上述半导体制造用处理液含有选自包括Al、Ca、Cr、Co、Cu、Fe、Pb、Li、Mg、Mn、Ni、K、Ag、Na及Zn的金属物种中的一种或两种以上的金属原子，且以上述半导体制造用处理液的总质量为基准，包含上述金属原子的至少一种的粒子性金属的合计含有率为0.01～100质量ppt。