三维垂直型存储器读出电路及其读出方法

摘要

本发明提供一种三维垂直型存储器读出电路及其读出方法，通过在所述读参考电流中引入位线寄生参数和位线上的漏电、字线上的漏电、垂直晶体管寄生参数、及读传输门寄生参数，以分别抵消所述半选通存储单元的位线寄生效应和位线上的漏电、字线上的漏电、第一垂直晶体管寄生效应及第一读传输门寄生效应，使所述读参考电流的瞬态值介于读低阻态电流和读高阻态电流之间，以实现消除伪读取现象，减小信号读出时间，减少误读取。通过本发明提供的三维垂直型存储器读出电路及其读出方法，解决了现有三维垂直型存储器读出电路读出时间长，存在误读取的问题。