公开/公告号CN108242395B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-02-14
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;
申请/专利号CN201611206295.3
申请日2016-12-23
分类号
代理机构上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙);
代理人曹芳玲
地址 200050 上海市长宁区定西路1295号
入库时间 2022-08-23 10:50:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-14
授权
授权
2018-07-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/268 申请日:20161223
实质审查的生效
2018-07-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/268 申请日:20161223
实质审查的生效
2018-07-03
公开
公开
2018-07-03
公开
公开
2018-07-03
公开
公开
查看全部
机译: 在硅衬底上外延生长高质量氮化物层的方法
机译: 在硅衬底上外延生长高质量氮化物层的方法
机译: 高质量的α-Ga2O3薄膜通过纳米棒图案蓝宝石衬底上的杂交气相外延生长及其制造方法