半导体PN结二极管器件的温升和热阻测量方法及装置

摘要

本发明属半导体器件测量领域。目前温升和热阻测量操作复杂，周期长，有的有破坏性。本发明装置：被测器件(401)放在恒温平台(403)上；计算机(100)通过接口(200)接采集器(205)；(205)分三路：一路接三路开关(303)，接到被测器件(401)；二路接采样电阻(501)后接三路开关(303)，再接测试电流源(201)；(201)的一端接接口(200)，一端接电流开关(301)；三路接采样电阻(502)后接三路开关(303)，再接工作电流源(202)；(202)的一端接接口(200)，一端接电流控制开关(301)；(301)输入两端接测试电流源(201)和工作电流源(202)；输出端接参考负载(402)和被测器件(401)，控制端接时序发生器(203)；采集器(204)一端接接口(200)，一端接到高速截取放大器(302)；高速截取放大器(302)接器件(401)。本发明非破坏性，可测瞬态加热响应曲线，从而分辨出器件热阻构成。