薄膜晶体管阵列基板的制作方法及薄膜晶体管阵列基板

摘要

一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法及薄膜晶体管阵列基板，其中的制作方法为：在完成硅薄膜晶体管的部分制程及电容制程后，先形成顶栅结构的氧化物薄膜晶体管，再形成硅薄膜晶体管漏极、硅薄膜晶体管源极、氧化物薄膜晶体管漏极和氧化物薄膜晶体管源极，从而在缓冲层上的第一位置、第二位置及第三位置处形成硅薄膜晶体管、电容与氧化物薄膜晶体管，由于制得的薄膜晶体管阵列基板包括顶栅型的氧化物薄膜晶体管，且硅薄膜晶体管的栅极与源漏极之间间隔多层绝缘层而距离增大，从而有效降低了整体的寄生电容，有利于改善显示器件的高分辨显示效果。