公开/公告号CN106783858B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-19
原文格式PDF
申请/专利权人 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所;
申请/专利号CN201611241186.5
申请日2016-12-29
分类号
代理机构中国航天科技专利中心;
代理人范晓毅
地址 100076 北京市丰台区东高地四营门北路2号
入库时间 2022-08-23 10:43:49
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-19
授权
授权
2017-06-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/112 申请日:20161229
实质审查的生效
2017-06-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/112 申请日:20161229
实质审查的生效
2017-05-31
公开
公开
2017-05-31
公开
公开
机译: 用于eeprom的非易失性存储单元,其浮动栅至漏极沟道区的位置远离沟道区,以防止在单元擦除过程中电子在栅氧化层中被捕获
机译: 仅V.sub.pp可扩展EEPROM存储单元,其晶体管带有薄的隧道栅氧化层
机译: 一种形成反熔丝存储单元,多个这种存储单元以感测已编程的存储单元和存储单元的方法。