一种面向标准CMOS工艺非易失存储器的高压切换方法

摘要

本发明属于微电子技术领域，公开了一种面向标准CMOS工艺非易失存储器的高压切换方法，包括步骤：(1)存储器阵列上电，将存储阵列中所有存储单元端口均连接电压V2；(2)启动写命令，将存储阵列中所有存储单元的端口均连接电压V1；(3)存储器阵列进入擦除或者编程状态，将存储阵列中需要高压的存储单元端口继续保持与V1的连接，不需要高压的存储单元端口与V1断开，然后连接至电压V2；(4)结束写命令，存储阵列中所有存储单元的端口均与电压V1断开，并与电压V2连接，存储器再次进入等待命令状态。本发明不需要在高压产生模块的输出端口挂载容量较大的去耦电容，并且能够适应于容量较大的非易失存储器中。