首页> 中国专利> 一种二维材料异质结场效应晶体管、其制备方法和晶体管阵列器件

一种二维材料异质结场效应晶体管、其制备方法和晶体管阵列器件

摘要

本发明提供了一种二维材料异质结场效应晶体管、其制备方法和晶体管阵列器件,该晶体管包括:导电衬底;设置在所述导电衬底上的绝缘介质层;分别设置在所述绝缘介质层两端的源电极和漏电极,在两者之间为沟道区;设置在所述源电极和与之相连的沟道区上的第一二维材料层;设置在所述漏电极和所述沟道区上部分第一二维材料层上的第二二维材料层;所述第一二维材料层与第二二维材料层的材质不同;所述第一二维材料层、第二二维材料层和源电极及漏电极能形成欧姆接触。本发明提供的这种晶体管具有良好的输出特性等性能,且成本低。本发明提供的这种晶体管的制备方法衬底利用率高、制备效率高,能避免蒸镀金属对二维材料的损伤,还可以制备阵列器件。

著录项

  • 公开/公告号CN106206710B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广东工业大学;

    申请/专利号CN201610566736.4

  • 申请日2016-07-15

  • 分类号H01L29/778(20060101);H01L29/417(20060101);H01L29/10(20060101);H01L21/336(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵青朵

  • 地址 510006 广东省广州市越秀区东风东路729号大院

  • 入库时间 2022-08-23 10:42:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-08

    授权

    授权

  • 2017-01-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 申请日:20160715

    实质审查的生效

  • 2017-01-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20160715

    实质审查的生效

  • 2016-12-07

    公开

    公开

  • 2016-12-07

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号