一种用于高压ESD保护的LDMOS-SCR器件

摘要

一种用于高压ESD保护的LDMOS‑SCR器件，属于集成电路静电释放保护电路技术领域。本发明用于高压ESD保护的LDMOS‑SCR器件包括1个LDMOS‑SCR和(n‑1)个与阱电阻并联的VSCR堆叠单元，其中，LDMOS‑SCR的栅电容和堆叠单元中的阱电阻构成一个内嵌的RC通路，可以实现降低LDMOS‑SCR触发电压的目的，而器件的维持电压由1个LDMOS‑SCR器件的维持电压和(n‑1)个VSCR堆叠单元的维持电压共同决定，会随着堆叠VSCR的个数的增加而增加。因此，本发明用于高压ESD保护的LDMOS‑SCR器件在实现高的维持电压的同时，保持了较低的触发电压。