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集成功率技术中的垂直沟槽型MOSFET器件

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在描述的示例中，具有垂直漏极延伸式MOS晶体管(110)的半导体器件(100)可通过形成深沟槽结构(104)形成，以限定至少一个垂直漂移区域(108)，该垂直漂移区域108在至少两个相反的侧面与深沟槽结构(104)相邻。深沟槽结构(104)包括介电内衬(124)。深沟槽结构(104)被隔开以为漂移区域(108)形成RESURF区域。垂直栅极(114)形成于深沟槽结构(104)的介电内衬(124)中的垂直取向的栅极沟槽中，该深沟槽结构(104)邻接垂直漂移区域(108)。为晶体管体(118)植入掺杂剂的体植入掩模也用作在介电内衬(124)中形成垂直取向的栅极沟槽的刻蚀掩模。

著录项

公开/公告号CN105765718B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-08

原文格式PDF
申请/专利权人德克萨斯仪器股份有限公司;
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申请/专利号CN201480065238.0
发明设计人 G·马图尔;M·丹尼森;S·彭德哈卡尔;
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申请日2014-09-26
分类号
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人赵志刚
地址美国德克萨斯州
入库时间 2022-08-23 10:41:34

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-10-08

授权

授权
2016-10-19

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/088 申请日:20140926

实质审查的生效
2016-10-19

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20140926

实质审查的生效
2016-07-13

公开

公开
2016-07-13

公开

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