公开/公告号CN100349249C
专利类型发明授权
公开/公告日2007-11-14
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN200410009989.9
申请日2004-12-09
分类号H01J27/04(20060101);H01J37/08(20060101);H01J9/02(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 08:59:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-10-06
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 27/04 授权公告日:20071114 申请日:20041209
专利权的终止
2010-02-03
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-11-14
授权
授权
2006-08-09
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-06-14
公开
公开
机译: 多模式金属离子源,例如用于工件加工的设备,具有磁镜场发生器,布置在阴极之间的冷却阳极,冷却反阴极,溅射和引出电极以及开关装置
机译: 用于操作液态金属离子源或液态金属电子和液态金属离子源或液态金属电子源的方法和装置
机译: 用于操作液态金属离子源或液态金属电子和液态金属离子源或液态金属电子源的方法和装置