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能引出低熔点金属离子的冷阴极潘宁离子源

摘要

本发明涉及一种用在离子注入机设备中的离子源装置,特别是一种能引出低熔点金属离子的离子源,该方法针对潘宁离子源的对阴极做了改进,改进的办法是使对阴极内部挖空,在对阴极面打一个小孔,这样对阴极就成为一个带有孔洞的圆杯状腔壳,腔壳内包的低熔点金属物质于是就通过挥发进入放电室并被电离成离子,从而使离子源引出低熔点金属离子。这种改进源的最大特点是结构简单,操作方便。

著录项

  • 公开/公告号CN100349249C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-11-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN200410009989.9

  • 发明设计人 徐嘉东;李建明;杨占坤;

    申请日2004-12-09

  • 分类号H01J27/04(20060101);H01J37/08(20060101);H01J9/02(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周国城

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-10-06

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 27/04 授权公告日:20071114 申请日:20041209

    专利权的终止

  • 2010-02-03

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2007-11-14

    授权

    授权

  • 2006-08-09

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-06-14

    公开

    公开

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