公开/公告号CN101728200A
专利类型发明专利
公开/公告日2010-06-09
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN200910242350.8
申请日2009-12-09
分类号H01J37/08;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-12-18 00:14:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-08-29
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01J37/08 公开日:20100609 申请日:20091209
发明专利申请公布后的视为撤回
2010-08-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/08 申请日:20091209
实质审查的生效
2010-06-09
公开
公开
机译: 多模式金属离子源,例如用于工件加工的设备,具有磁镜场发生器,布置在阴极之间的冷却阳极,冷却反阴极,溅射和引出电极以及开关装置
机译: 离子源,尤其是用于高电荷金属离子的离子源,受到控制
机译: 用于操作液态金属离子源或液态金属电子和液态金属离子源或液态金属电子源的方法和装置