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一种内部浮硅的同轴硅通孔等效电路模型及参数提取方法

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本发明公开一种内部浮硅的同轴硅通孔等效电路模型及参数提取方法。本发明包括沿着硅通孔传输方向的阻抗单元以及在内部导体和外部环形屏蔽层之间的导纳单元。阻抗单元包括电阻R

著录项

公开/公告号CN106354904B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-18

原文格式PDF
申请/专利权人杭州电子科技大学;
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申请/专利号CN201610685274.8
发明设计人赵文生;郑杰;徐魁文;王高峰;
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申请日2016-08-18
分类号
代理机构杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人杜军
地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
入库时间 2022-08-23 10:41:16

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-10-18

授权

授权
2017-03-01

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20160818

实质审查的生效
2017-03-01

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20160818

实质审查的生效
2017-01-25

公开

公开
2017-01-25

公开

公开

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