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具有自对准源极接触和漏极接触的晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及具有自对准源极接触和漏极接触的晶体管及其制造方法。一种晶体管包括有源区,该有源区由衬底支撑并且具有源极区、沟道区和漏极区。栅叠层在该沟道区之上延伸,并且第一侧壁包围该栅叠层。分别在该有源区的该源极区和该漏极区之上邻近该第一侧壁提供升高的源极区和升高的漏极区。第二侧壁周向地包围该升高的源极区和该升高的漏极区中的每一者。该第二侧壁在该升高的源极区和该升高的漏极区的顶表面上方延伸以限定由该第一侧壁和该第二侧壁横向地界定的多个区。导电材料填充这些区以分别形成到该升高的源极区和该升高的漏极区的源极接触和漏极接触。

著录项

  • 公开/公告号CN106449388B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-09-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 意法半导体公司;

    申请/专利号CN201511017723.3

  • 发明设计人 J·H·张;

    申请日2015-12-29

  • 分类号

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华

  • 地址 美国得克萨斯州

  • 入库时间 2022-08-23 10:40:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-27

    授权

    授权

  • 2017-03-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/28 申请日:20151229

    实质审查的生效

  • 2017-03-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20151229

    实质审查的生效

  • 2017-02-22

    公开

    公开

  • 2017-02-22

    公开

    公开

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