法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-09-27
授权
授权
2017-03-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/28 申请日:20151229
实质审查的生效
2017-03-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20151229
实质审查的生效
2017-02-22
公开
公开
2017-02-22
公开
公开
机译: 具有金属-半导体材料复合区域的半导体器件的制造方法,该方法能够减小源极和漏极区域的结深度,并提高晶体管的源极和漏极区域的接触电阻
机译: 具有自对准的第一导电类型的源极和漏极区域以及第二导电类型的接触区域的金属栅极MOS晶体管的制造方法
机译: 具有平面源极和漏极区,短沟道长度和包括金属硅化物的自对准接触能级的MOS晶体管的制造方法