基于三层DBC基板的碳化硅器件封装结构及制造方法

摘要

本发明公开了一种基于三层DBC基板的碳化硅功率器件封装结构及制造方法，该封装结构包含三层图形化的DBC基板形成上中下结构，两层纳米银焊膏，纵向碳化硅功率芯片及耐高温填料；通过DBC基板的图形化及纳米银焊膏的连接实现芯片电极无引线引出，增加了互连面积，缩短了连接距离，减小了附加电阻及电感，且引出电极在不同平面，DBC图形设计使得中间层的厚度不影响绝缘性能；同时，本封装结构的中间层作为散热通道，可将上层DBC的热量传导到下层DBC，增加了散热渠道，不增加散热板的情况下，芯片产生的热量也可通过上下两面散失；与其他封装形式相比，本发明结构简单，原材料充足，可操作性强，且具有较普遍的适用性。