一种形成NMOS晶体管装置的锗通道层、NMOS晶体管装置和CMOS装置的方法

摘要

一种形成用于NMOS晶体管装置的锗通道层的方法，该方法包括：a.提供具有侧壁的沟槽，所述侧壁由介电材料结构限定并邻接硅基材的表面；b.在所述表面上的所述沟槽中种植晶种层，所述晶种层具有前表面，所述前表面包含具有(111)取向的分面；c.在所述沟槽中的所述晶种层上种植应变弛豫缓冲层，所述应变弛豫缓冲层包含硅锗；d.在所述应变弛豫缓冲层上种植包含锗(Ge)的通道层；以及相关NMOS晶体管装置和CMOS装置。