MOSFET; reliability; random telegraph noise; oxide defects; SiO;
机译:亚微米NMOS晶体管的氧化物中局部缺陷对衬底和漏极电流的影响
机译:深亚微米NMOS晶体管中ESD电流分布不均匀的分析
机译:NMOS晶体管和CMOS逆变器中重离子诱发的单事件瞬态的研究
机译:辐照形成表面缺陷的有源模式的晶体管的影响
机译:半导体中缺陷陷阱分布中的少数载流子动力学:在三角硒单晶中的应用。
机译:从单缺陷的角度来看小型化晶体管的可靠性
机译:单指NMOS晶体管中的非均匀双极传导及其对深亚微米ESD设计的影响