用于在相同衬底上制造光电检测器与晶体管的单片集成技术

摘要

在此引入的各种技术的实例包括(但不限于)在浅沟槽隔离形成期间台面高度调节方法、晶体管通孔第一方法和多个吸收层方法。如下文中进一步描述，本文引入的技术包括多个方面，所述多个方面能单独地和/或共同地解决或缓解涉及在相同衬底上制造PD和晶体管的一个或多个传统限制，如在上文讨论的可靠性、性能和工艺温度问题。